0 0 0
  8. PSMN1R4-30YLDX

Транзисторы с каналом N SMD PSMN1R4-30YLDX

 
PSMN1R4-30YLDX
 
NEXPERIA
Артикул: 600523
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; Idm: 1019А; 166Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
87.22 грн
5+
79.29 грн
16+
61.93 грн
44+
58.52 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT669(1492393) LFPAK56(1801477)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
1,44мОм(1801441)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
166Вт(1740800)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
54,8нC(1933320)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1019А(1933319)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN1R4-30YLDX
NEXPERIA
Артикул: 600523
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; Idm: 1019А; 166Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
87.22 грн
5+
79.29 грн
16+
61.93 грн
44+
58.52 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT669
Корпус
LFPAK56
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
1,44мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
166Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
54,8нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1019А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g