0 0 0
  8. PSMN1R6-30BL,118

Транзисторы с каналом N SMD PSMN1R6-30BL,118

 
PSMN1R6-30BL,118
 
NEXPERIA
Артикул: 600570
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; Idm: 1268А; 306Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
233.74 грн
5+
210.13 грн
7+
165.67 грн
17+
156.62 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) SOT404(1801479)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
2,21мОм(1933261)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
306Вт(1741817)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
212нC(1478992)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1268А(1826047)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN1R6-30BL,118
NEXPERIA
Артикул: 600570
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; Idm: 1268А; 306Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
233.74 грн
5+
210.13 грн
7+
165.67 грн
17+
156.62 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
SOT404
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
2,21мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
306Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
212нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1268А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g