0 0 0
  8. PSMN1R8-80SSFJ

Транзисторы с каналом N SMD PSMN1R8-80SSFJ

 
PSMN1R8-80SSFJ
 
NEXPERIA
Артикул: 778437
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 205А; Idm: 1158А; 341Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
507.66 грн
3+
369.28 грн
8+
349.07 грн
500+
338.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
LFPAK88(1939964) SOT1235(1939965)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
205А(1959956)
Сопротивление в открытом состоянии
4,1мОм(1479546)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
341Вт(1741911)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
222нC(1737455)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1158А(1959991)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN1R8-80SSFJ
NEXPERIA
Артикул: 778437
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 205А; Idm: 1158А; 341Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
507.66 грн
3+
369.28 грн
8+
349.07 грн
500+
338.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
LFPAK88
Корпус
SOT1235
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
205А
Сопротивление в открытом состоянии
4,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
341Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
222нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1158А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g