0 0 0
  8. PSMN1R9-80SSEJ

Транзисторы с каналом N SMD PSMN1R9-80SSEJ

 
PSMN1R9-80SSEJ
 
NEXPERIA
Артикул: 778486
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 202А; Idm: 1142А; 340Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
432.79 грн
3+
421.20 грн
5+
389.52 грн
25+
382.56 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
LFPAK88(1939964) SOT1235(1939965)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
202А(1492232)
Сопротивление в открытом состоянии
4,2мОм(1479514)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
340Вт(1741907)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
232нC(1823211)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1142А(1959992)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN1R9-80SSEJ
NEXPERIA
Артикул: 778486
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 202А; Idm: 1142А; 340Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
432.79 грн
3+
421.20 грн
5+
389.52 грн
25+
382.56 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
LFPAK88
Корпус
SOT1235
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
202А
Сопротивление в открытом состоянии
4,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
340Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
232нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1142А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g