0 0 0
  8. PSMN2R2-40BS,118

Транзисторы с каналом N SMD PSMN2R2-40BS,118

 
PSMN2R2-40BS,118
 
NEXPERIA
Артикул: 600518
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; Idm: 962А; 306Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
209.35 грн
5+
188.10 грн
7+
149.14 грн
19+
141.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) SOT404(1801479)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
3,76мОм(1933263)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
306Вт(1741817)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
130нC(1479431)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
962А(1933262)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN2R2-40BS,118
NEXPERIA
Артикул: 600518
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; Idm: 962А; 306Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
209.35 грн
5+
188.10 грн
7+
149.14 грн
19+
141.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
SOT404
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
3,76мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
306Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
130нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
962А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g