0 0 0
  8. PSMN3R3-80BS,118

Транзисторы с каналом N SMD PSMN3R3-80BS,118

 
PSMN3R3-80BS,118
 
NEXPERIA
Артикул: 600499
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; Idm: 760А; 306Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
226.07 грн
5+
201.99 грн
7+
160.19 грн
17+
151.41 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) SOT404(1801479)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
120А(1441550)
Сопротивление в открытом состоянии
7,1мОм(1632955)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
306Вт(1741817)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
111нC(1733907)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
760А(1714534)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN3R3-80BS,118
NEXPERIA
Артикул: 600499
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 120А; Idm: 760А; 306Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
226.07 грн
5+
201.99 грн
7+
160.19 грн
17+
151.41 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
SOT404
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
120А
Сопротивление в открытом состоянии
7,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
306Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
111нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
760А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g