0 0 0
  8. PSMN3R9-100YSFX

Транзисторы с каналом N SMD PSMN3R9-100YSFX

 
PSMN3R9-100YSFX
 
NEXPERIA
Артикул: 778433
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; Idm: 690А; 294Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
216.43 грн
5+
193.61 грн
7+
155.83 грн
18+
147.17 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT1023(1801478) LFPAK56E(1932066)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
120А(1441550)
Сопротивление в открытом состоянии
9,9мОм(1479241)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
294Вт(1741922)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
0,12мкC(1950533)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
690А(1810502)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN3R9-100YSFX
NEXPERIA
Артикул: 778433
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; Idm: 690А; 294Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
216.43 грн
5+
193.61 грн
7+
155.83 грн
18+
147.17 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT1023
Корпус
LFPAK56E
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
120А
Сопротивление в открытом состоянии
9,9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
294Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
0,12мкC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
690А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g