0 0 0
  8. PSMN4R0-60YS,115

Транзисторы с каналом N SMD PSMN4R0-60YS,115

 
PSMN4R0-60YS,115
 
NEXPERIA
Артикул: 600507
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; Idm: 418А; 130Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
120.66 грн
5+
109.54 грн
12+
86.76 грн
33+
82.00 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT669(1492393) LFPAK56(1801477)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
3,6мОм(1479264)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
130Вт(1701963)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
56нC(1479440)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
418А(1838856)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN4R0-60YS,115
NEXPERIA
Артикул: 600507
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; Idm: 418А; 130Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
120.66 грн
5+
109.54 грн
12+
86.76 грн
33+
82.00 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT669
Корпус
LFPAK56
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
3,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
130Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
56нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
418А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g