0 0 0
  8. PSMN4R2-80YSEX

Транзисторы с каналом N SMD PSMN4R2-80YSEX

 
PSMN4R2-80YSEX
 
NEXPERIA
Артикул: 778426
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 123А; Idm: 698А; 294Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
347.51 грн
4+
252.67 грн
11+
239.45 грн
500+
231.68 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT1023(1801478) LFPAK56E(1932066)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
123А(1479517)
Сопротивление в открытом состоянии
9,3мОм(1493304)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
294Вт(1741922)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
110нC(1479315)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
698А(1959980)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN4R2-80YSEX
NEXPERIA
Артикул: 778426
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 123А; Idm: 698А; 294Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
347.51 грн
4+
252.67 грн
11+
239.45 грн
500+
231.68 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT1023
Корпус
LFPAK56E
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
123А
Сопротивление в открытом состоянии
9,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
294Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
110нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
698А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g