0 0 0
  8. PSMN4R4-80BS,118

Транзисторы с каналом N SMD PSMN4R4-80BS,118

 
PSMN4R4-80BS,118
 
NEXPERIA
Артикул: 600522
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; Idm: 680А; 306Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
223.51 грн
5+
201.48 грн
7+
161.34 грн
18+
152.52 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 562 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) SOT404(1801479)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
9,12мОм(1933272)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
306Вт(1741817)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
125нC(1712710)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
680А(1758510)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,92 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN4R4-80BS,118
NEXPERIA
Артикул: 600522
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; Idm: 680А; 306Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
223.51 грн
5+
201.48 грн
7+
161.34 грн
18+
152.52 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 562 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
SOT404
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
9,12мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
306Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
125нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
680А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,92 g