0 0 0
  8. PSMN4R6-60BS,118

Транзисторы с каналом N SMD PSMN4R6-60BS,118

 
PSMN4R6-60BS,118
 
NEXPERIA
Артикул: 600503
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
130.64 грн
5+
117.89 грн
11+
95.59 грн
29+
90.81 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 797 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) SOT404(1801479)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
8,6мОм(1599594)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
211Вт(1742103)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
70,8нC(1933274)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
565А(1933273)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,822 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN4R6-60BS,118
NEXPERIA
Артикул: 600503
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
130.64 грн
5+
117.89 грн
11+
95.59 грн
29+
90.81 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 797 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
SOT404
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
8,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
211Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
70,8нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
565А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,822 g