0 0 0
  8. PSMN6R9-100YSFX

Транзисторы с каналом N SMD PSMN6R9-100YSFX

 
PSMN6R9-100YSFX
 
NEXPERIA
Артикул: 778405
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 88А; Idm: 360А; 238Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
153.93 грн
5+
138.38 грн
9+
111.17 грн
25+
104.95 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT669(1492393) LFPAK56(1801477)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
88А(1599601)
Сопротивление в открытом состоянии
15,4мОм(1743895)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
238Вт(1742101)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
50,3нC(1959975)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
360А(1751904)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN6R9-100YSFX
NEXPERIA
Артикул: 778405
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 88А; Idm: 360А; 238Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
153.93 грн
5+
138.38 грн
9+
111.17 грн
25+
104.95 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT669
Корпус
LFPAK56
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
88А
Сопротивление в открытом состоянии
15,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
238Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
50,3нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
360А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g