0 0 0
  8. PSMN7R5-30YLDX

Транзисторы с каналом N SMD PSMN7R5-30YLDX

 
PSMN7R5-30YLDX
 
NEXPERIA
Артикул: 386949
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 36А; Idm: 202А; 34Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
95.84 грн
5+
42.17 грн
25+
37.85 грн
34+
30.25 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT1023(1801478) LFPAK56E(1932066)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
36А(1479316)
Сопротивление в открытом состоянии
12,4мОм(1599742)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
34Вт(1701968)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
11,3нC(1636384)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
202А(1801451)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN7R5-30YLDX
NEXPERIA
Артикул: 386949
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 36А; Idm: 202А; 34Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
95.84 грн
5+
42.17 грн
25+
37.85 грн
34+
30.25 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT1023
Корпус
LFPAK56E
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
36А
Сопротивление в открытом состоянии
12,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
34Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
11,3нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
202А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g