0 0 0
  8. PSMN8R0-80YLX

Транзисторы с каналом N SMD PSMN8R0-80YLX

 
PSMN8R0-80YLX
 
NEXPERIA
Артикул: 778416
Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 80В; 75А; Idm: 423А; 238Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
130.00 грн
5+
117.24 грн
11+
93.31 грн
30+
87.73 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT669(1492393) LFPAK56(1801477)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
75А(1441317)
Сопротивление в открытом состоянии
21,3мОм(1936762)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
238Вт(1742101)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
104нC(1744095)
Технология
Trench(1712977)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
423А(1936852)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN8R0-80YLX
NEXPERIA
Артикул: 778416
Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 80В; 75А; Idm: 423А; 238Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
130.00 грн
5+
117.24 грн
11+
93.31 грн
30+
87.73 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT669
Корпус
LFPAK56
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
75А
Сопротивление в открытом состоянии
21,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
238Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
104нC
Технология
Trench
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
423А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g