0 0 0
  8. PSMN8R2-80YS,115

Транзисторы с каналом N SMD PSMN8R2-80YS,115

 
PSMN8R2-80YS,115
 
NEXPERIA
Артикул: 600490
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
109.96 грн
5+
98.81 грн
13+
78.09 грн
36+
73.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1259 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT669(1492393) LFPAK56(1801477)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
82А(1479450)
Сопротивление в открытом состоянии
5,8мОм(1479460)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
130Вт(1701963)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
55нC(1632980)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
326А(1933345)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,132 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN8R2-80YS,115
NEXPERIA
Артикул: 600490
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
109.96 грн
5+
98.81 грн
13+
78.09 грн
36+
73.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1259 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT669
Корпус
LFPAK56
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
82А
Сопротивление в открытом состоянии
5,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
130Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
55нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
326А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,132 g