0 0 0
  8. PSMN8R5-100PSQ

Транзисторы с каналом N THT PSMN8R5-100PSQ

 
PSMN8R5-100PSQ
 
NEXPERIA
Артикул: 606152
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; Idm: 429А; 263Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
214.54 грн
3+
193.80 грн
7+
150.10 грн
18+
141.88 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140) SOT78(1801481)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
6,4мОм(1693692)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
263Вт(1742106)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
111нC(1733907)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
429А(1933372)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N THT PSMN8R5-100PSQ
NEXPERIA
Артикул: 606152
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; Idm: 429А; 263Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
214.54 грн
3+
193.80 грн
7+
150.10 грн
18+
141.88 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Корпус
SOT78
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
6,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
263Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
111нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
429А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g