0 0 0
  8. PSMN8R9-100BSEJ

Транзисторы с каналом N SMD PSMN8R9-100BSEJ

 
PSMN8R9-100BSEJ
 
NEXPERIA
Артикул: 778576
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 74А; Idm: 419А; 296Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
244.76 грн
5+
219.58 грн
6+
177.08 грн
16+
167.63 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) SOT404(1801479)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
74А(1492305)
Сопротивление в открытом состоянии
27мОм(1479328)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
296Вт(1801457)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
160нC(1479521)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
419А(1959941)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMN8R9-100BSEJ
NEXPERIA
Артикул: 778576
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 74А; Idm: 419А; 296Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
244.76 грн
5+
219.58 грн
6+
177.08 грн
16+
167.63 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
SOT404
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
74А
Сопротивление в открытом состоянии
27мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
296Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
160нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
419А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g