0 0 0
  8. PSMNR70-30YLHX

Транзисторы с каналом N SMD PSMNR70-30YLHX

 
PSMNR70-30YLHX
 
NEXPERIA
Артикул: 778603
Транзистор: N-MOSFET; NextPowerS3; полевой; 30В; 281А; Idm: 1589А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
214.07 грн
5+
192.03 грн
7+
154.26 грн
18+
145.60 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
NEXPERIA(1241)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerSO8(1633659) SOT669(1492393) LFPAK56(1801477)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
281А(1479593)
Сопротивление в открытом состоянии
2мОм(1479588)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
268Вт(1741808)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
157нC(1758463)
Технология
NextPowerS3(1899360)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1589А(1959978)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD PSMNR70-30YLHX
NEXPERIA
Артикул: 778603
Транзистор: N-MOSFET; NextPowerS3; полевой; 30В; 281А; Idm: 1589А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
214.07 грн
5+
192.03 грн
7+
154.26 грн
18+
145.60 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NEXPERIA
Монтаж
SMD
Корпус
PowerSO8
Корпус
SOT669
Корпус
LFPAK56
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
281А
Сопротивление в открытом состоянии
2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
268Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
157нC
Технология
NextPowerS3
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1589А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g