0 0 0
  8. NTE2919

Транзисторы с каналом P THT NTE2919

 
NTE2919
 
NTE Electronics
Артикул: 141208
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -20А; Idm: -80А; 25Вт; TO220F
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
508.50 грн
3+
382.17 грн
8+
361.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 13 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
NTE Electronics(1382)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220F(1440211)
Напряжение сток-исток
-60В(1492224)
Ток стока
-20А(1492322)
Сопротивление в открытом состоянии
92мОм(1610015)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
25Вт(1507409)
Полярность
полевой(1441242)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-80А(1789209)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,87 g
 
Транзисторы с каналом P THT NTE2919
NTE Electronics
Артикул: 141208
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -20А; Idm: -80А; 25Вт; TO220F
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
508.50 грн
3+
382.17 грн
8+
361.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 13 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
NTE Electronics
Монтаж
THT
Корпус
TO220F
Напряжение сток-исток
-60В
Ток стока
-20А
Сопротивление в открытом состоянии
92мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
25Вт
Полярность
полевой
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,87 g