Транзисторы с каналом P THT NTE2998

 
NTE2998
 
Артикул: 141213
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -8А; 125Вт; TO3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 817.59 грн
2+
1 718.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
NTE Electronics(1382)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3(1440918)
Напряжение сток-исток
-200В(1441458)
Ток стока
-8А(1479035)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы с каналом P THT NTE2998
NTE Electronics
Артикул: 141213
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -8А; 125Вт; TO3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 817.59 грн
2+
1 718.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NTE Electronics
Монтаж
THT
Корпус
TO3
Напряжение сток-исток
-200В
Ток стока
-8А
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g