Транзисторы с каналом P THT NTE464

 
NTE464
 
Артикул: 141216
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -25В; -0,3А; 800мВт; TO72
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 057.92 грн
3+
1 000.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
NTE Electronics(1382)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO72(1440779)
Напряжение сток-исток
-25В(1492223)
Ток стока
-300мА(1492399)
Сопротивление в открытом состоянии
600Ом(1789239)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,8Вт(1507583)
Полярность
полевой(1441242)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом P THT NTE464
NTE Electronics
Артикул: 141216
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -25В; -0,3А; 800мВт; TO72
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 057.92 грн
3+
1 000.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
NTE Electronics
Монтаж
THT
Корпус
TO72
Напряжение сток-исток
-25В
Ток стока
-300мА
Сопротивление в открытом состоянии
600Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,8Вт
Полярность
полевой
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g