0 0 0
  7. 1N914BWT

Универсальные диоды SMD 1N914BWT

 
1N914BWT
 
ONSEMI
Артикул: 512001
Диод: импульсный; SMD; 75В; 0,3А; 4нс; SOD523F; Ufmax: 1В; Ir: 5мкА
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
2.60 грн
100+
2.32 грн
500+
2.05 грн
575+
1.78 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  25
Колличество: 7750 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOD523F(1600648)
Емкость
4пФ(1478381)
Обратное напряжение макс.
75В(1440242)
Падение напряжения макс.
1В(1591603)
Прямой ток
0,3А(1633842)
Конструкция диода
одиночный диод(1612600)
Время готовности
4нс(1440245)
Ток утечки
5мкА(1501362)
Рассеиваемая мощность
0,2Вт(1507579)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
импульсный(1440247)
Характеристики полупроводниковых элементов
быстрый диод(1439861)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,005 g
 
Универсальные диоды SMD 1N914BWT
ONSEMI
Артикул: 512001
Диод: импульсный; SMD; 75В; 0,3А; 4нс; SOD523F; Ufmax: 1В; Ir: 5мкА
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
2.60 грн
100+
2.32 грн
500+
2.05 грн
575+
1.78 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  25
Колличество: 7750 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOD523F
Емкость
4пФ
Обратное напряжение макс.
75В
Падение напряжения макс.
1В
Прямой ток
0,3А
Конструкция диода
одиночный диод
Время готовности
4нс
Ток утечки
5мкА
Рассеиваемая мощность
0,2Вт
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
импульсный
Характеристики полупроводниковых элементов
быстрый диод
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,005 g