0 0 0
  8. 2N7000-D26Z

Транзисторы с каналом N THT 2N7000-D26Z

 
2N7000-D26Z
 
ONSEMI
Артикул: 386953
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
28.59 грн
10+
21.10 грн
50+
15.76 грн
100+
9.81 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 356 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO92(1440599)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,2А(1644064)
Сопротивление в открытом состоянии
9Ом(1441411)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,4Вт(1507572)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Технология
DMOS(1605573)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,5А(1709865)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,268 g
 
Транзисторы с каналом N THT 2N7000-D26Z
ONSEMI
Артикул: 386953
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
28.59 грн
10+
21.10 грн
50+
15.76 грн
100+
9.81 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 356 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO92
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,2А
Сопротивление в открытом состоянии
9Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Технология
DMOS
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,5А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,268 g