0 0 0
  8. 2N7002K

Транзисторы с каналом N SMD 2N7002K

 
2N7002K
 
ONSEMI
Артикул: 512064
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.29 грн
25+
5.97 грн
100+
5.35 грн
245+
4.10 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2975 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,27А(1645011)
Сопротивление в открытом состоянии
1,6Ом(1501020)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,42Вт(1742065)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
0,7нC(1632950)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
5А(1790204)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g
 
Транзисторы с каналом N SMD 2N7002K
ONSEMI
Артикул: 512064
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.29 грн
25+
5.97 грн
100+
5.35 грн
245+
4.10 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2975 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,27А
Сопротивление в открытом состоянии
1,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,42Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
0,7нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
5А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g