0 0 0
  8. 6HP04MH-TL-W

Транзисторы с каналом P SMD 6HP04MH-TL-W

 
6HP04MH-TL-W
 
ONSEMI
Артикул: 478243
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,37А; Idm: -1,48А; 0,6Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
12.23 грн
25+
11.12 грн
100+
9.77 грн
110+
9.10 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC70(1453575) SOT323(1492062)
Напряжение сток-исток
-60В(1492224)
Ток стока
-0,37А(1844740)
Сопротивление в открытом состоянии
4,2мОм(1479514)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,6Вт(1507580)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
0,84нC(1844742)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-1,48А(1844741)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD 6HP04MH-TL-W
ONSEMI
Артикул: 478243
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,37А; Idm: -1,48А; 0,6Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
12.23 грн
25+
11.12 грн
100+
9.77 грн
110+
9.10 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SC70
Корпус
SOT323
Напряжение сток-исток
-60В
Ток стока
-0,37А
Сопротивление в открытом состоянии
4,2мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
0,84нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-1,48А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g