0 0 0
  7. BAV70LT1G

Универсальные диоды SMD BAV70LT1G

 
BAV70LT1G
 
ONSEMI
Артикул: 040200
Диод: импульсный; SMD; 100В; 0,2А; 6нс; SOT23; Ufmax: 1,25В; Ifsm: 31А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
2.41 грн
100+
1.39 грн
500+
1.30 грн
995+
1.00 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  5
Колличество: 1323 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Емкость
1,5пФ(1437522)
Обратное напряжение макс.
100В(1439527)
Прямой ток макс.
0,5А(1440601)
Падение напряжения макс.
1,25В(1594135)
Прямой ток
0,2А(1633857)
Конструкция диода
двойной(1600771) общий катод(1497057)
Время готовности
6нс(1440264)
Импульсный ток
31А(1501572)
Ток утечки
0,1мА(1897472)
Рассеиваемая мощность
0,3Вт(1507578)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
импульсный(1440247)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g
 
Универсальные диоды SMD BAV70LT1G
ONSEMI
Артикул: 040200
Диод: импульсный; SMD; 100В; 0,2А; 6нс; SOT23; Ufmax: 1,25В; Ifsm: 31А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
2.41 грн
100+
1.39 грн
500+
1.30 грн
995+
1.00 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  5
Колличество: 1323 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Емкость
1,5пФ
Обратное напряжение макс.
100В
Прямой ток макс.
0,5А
Падение напряжения макс.
1,25В
Прямой ток
0,2А
Конструкция диода
двойной
Конструкция диода
общий катод
Время готовности
6нс
Импульсный ток
31А
Ток утечки
0,1мА
Рассеиваемая мощность
0,3Вт
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
импульсный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g