0 0 0
  8. BS170-D75Z

Транзисторы с каналом N THT BS170-D75Z

 
BS170-D75Z
 
ONSEMI
Артикул: 532716
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
26.95 грн
10+
21.80 грн
50+
15.22 грн
100+
12.92 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1971 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO92(1440599)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,5А(1643334)
Сопротивление в открытом состоянии
5Ом(1441408)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,83Вт(1742124)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Технология
DMOS(1605573)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1,2А(1709882)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,266 g
 
Транзисторы с каналом N THT BS170-D75Z
ONSEMI
Артикул: 532716
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
26.95 грн
10+
21.80 грн
50+
15.22 грн
100+
12.92 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1971 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO92
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,5А
Сопротивление в открытом состоянии
5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,83Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Технология
DMOS
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1,2А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,266 g