Транзисторы с каналом N SMD BSS123LT1G

 
BSS123LT1G
 
Артикул: 075745
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
4.33 грн
100+
3.90 грн
320+
3.11 грн
870+
2.95 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  5
Колличество: 41339 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
0,17А(1644068)
Сопротивление в открытом состоянии
6Ом(1441534)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,225Вт(1707091)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,016 g
 
Транзисторы с каналом N SMD BSS123LT1G
ONSEMI
Артикул: 075745
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
4.33 грн
100+
3.90 грн
320+
3.11 грн
870+
2.95 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  5
Колличество: 41339 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
0,17А
Сопротивление в открытом состоянии
6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,225Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,016 g