0 0 0
  7. BYW51-200G

Универсальные диоды THT BYW51-200G

 
BYW51-200G
 
ONSEMI
Артикул: 1056770
Диод: импульсный; THT; 200В; 8Аx2; туба; Ifsm: 100А; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
122.88 грн
3+
95.83 грн
10+
85.79 грн
14+
74.19 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 749 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Обратное напряжение макс.
200В(1439532)
Прямой ток макс.
16А(1440156)
Прямой ток
8А x2(1948660)
Конструкция диода
двойной(1600771) общий катод(1497057)
Импульсный ток
100А(1440667)
Вид упаковки
туба(1443467)
Тип диода
импульсный(1440247)
Характеристики полупроводниковых элементов
сверхбыстрый диод(1497038)
Толщина радитора
1,15...1,39мм(1497084)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Универсальные диоды THT BYW51-200G
ONSEMI
Артикул: 1056770
Диод: импульсный; THT; 200В; 8Аx2; туба; Ifsm: 100А; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
122.88 грн
3+
95.83 грн
10+
85.79 грн
14+
74.19 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 749 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Обратное напряжение макс.
200В
Прямой ток макс.
16А
Прямой ток
8А x2
Конструкция диода
двойной
Конструкция диода
общий катод
Импульсный ток
100А
Вид упаковки
туба
Тип диода
импульсный
Характеристики полупроводниковых элементов
сверхбыстрый диод
Толщина радитора
1,15...1,39мм
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g