0 0 0
  8. CPH6341-TL-W

Транзисторы с каналом P SMD CPH6341-TL-W

 
CPH6341-TL-W
 
ONSEMI
Артикул: 478247
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT26
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
25.40 грн
25+
21.75 грн
60+
18.02 грн
155+
17.07 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 820 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT26(1492497)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-5А(1492225)
Сопротивление в открытом состоянии
59мОм(1479368)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,6Вт(1449364)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
10нC(1479106)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-20А(1741687)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,03 g
 
Транзисторы с каналом P SMD CPH6341-TL-W
ONSEMI
Артикул: 478247
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT26
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
25.40 грн
25+
21.75 грн
60+
18.02 грн
155+
17.07 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 820 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT26
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-5А
Сопротивление в открытом состоянии
59мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
10нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,03 g