0 0 0
  8. DTC114EET1G

Транзисторы NPN SMD DTC114EET1G

 
DTC114EET1G
 
ONSEMI
Артикул: 671738
Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2/0,3Вт; SOT416
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
4.01 грн
100+
2.17 грн
500+
1.91 грн
625+
1.65 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  25
Колличество: 2775 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT416(1492078)
Напряжение коллектор-эмиттер
50В(1440812)
Коэффициент усиления по току
35...60(1752063)
Ток коллектора
0,1А(1702089)
Тип транзистора
NPN(1440761)
Рассеиваемая мощность
0,2/0,3Вт(1790244)
Полярность
биполярный(1440762)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид транзистора
BRT(1636499)
резистор базы
10кОм(1645075)
резистор эмиттер - база
10кОм(1645076)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,012 g
 
Транзисторы NPN SMD DTC114EET1G
ONSEMI
Артикул: 671738
Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2/0,3Вт; SOT416
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
4.01 грн
100+
2.17 грн
500+
1.91 грн
625+
1.65 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  25
Колличество: 2775 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT416
Напряжение коллектор-эмиттер
50В
Коэффициент усиления по току
35...60
Ток коллектора
0,1А
Тип транзистора
NPN
Рассеиваемая мощность
0,2/0,3Вт
Полярность
биполярный
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид транзистора
BRT
резистор базы
10кОм
резистор эмиттер - база
10кОм
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,012 g