0 0 0
  7. ECH8657-TL-H

Транзисторы многоканальные ECH8657-TL-H

 
ECH8657-TL-H
 
ONSEMI
Артикул: 478189
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 35В; 4,5А; Idm: 30А; 1,5Вт; ECH8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
31.98 грн
25+
30.23 грн
45+
22.37 грн
124+
21.18 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
ECH8(1805279)
Напряжение сток-исток
35В(1441238)
Ток стока
4,5А(1441265)
Сопротивление в открытом состоянии
59мОм(1479368)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
1,5Вт(1487290)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
4,6нC(1609769)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
30А(1741680)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные ECH8657-TL-H
ONSEMI
Артикул: 478189
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 35В; 4,5А; Idm: 30А; 1,5Вт; ECH8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
31.98 грн
25+
30.23 грн
45+
22.37 грн
124+
21.18 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
ECH8
Напряжение сток-исток
35В
Ток стока
4,5А
Сопротивление в открытом состоянии
59мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
1,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
4,6нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
30А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g