0 0 0
  8. ESD7351XV2T1G

Диоды transil SMD однонаправленные ESD7351XV2T1G

 
ESD7351XV2T1G
 
ONSEMI
Артикул: 495612
Диод: TVS; 0,15Вт; 5В; SOD523; бобина,лента; Ch: 1; 0,43÷0,6пФ
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
8.18 грн
50+
5.50 грн
240+
4.20 грн
650+
3.97 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Колличество: 1140 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOD523(1497086)
Емкость
0,43...0,6пФ(1851236)
Обратное напряжение макс.
3,3В(1586828)
Напряжение пробоя
5В(1501532)
Ток утечки
1нА(1623452)
Кол-во каналов
1(1443898)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
защитный(1440400)
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD(1639296)
Peak pulse power dissipation
0,15Вт(1930591)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,009 g
 
Диоды transil SMD однонаправленные ESD7351XV2T1G
ONSEMI
Артикул: 495612
Диод: TVS; 0,15Вт; 5В; SOD523; бобина,лента; Ch: 1; 0,43÷0,6пФ
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
8.18 грн
50+
5.50 грн
240+
4.20 грн
650+
3.97 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Колличество: 1140 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOD523
Емкость
0,43...0,6пФ
Обратное напряжение макс.
3,3В
Напряжение пробоя
5В
Ток утечки
1нА
Кол-во каналов
1
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
защитный
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD
Peak pulse power dissipation
0,15Вт
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,009 g