0 0 0
  8. ESD7551N2T5G

Диоды transil SMD двунаправленные ESD7551N2T5G

 
ESD7551N2T5G
 
ONSEMI
Артикул: 495826
Диод: TVS; 0,25Вт; 5В; CASE714AB,X2DFN2; бобина,лента; Ch: 1
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
7.75 грн
50+
5.36 грн
240+
4.03 грн
660+
3.81 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Колличество: 1210 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
CASE714AB(1853007) X2DFN2(1853008)
Емкость
0,22...0,35пФ(1851238)
Обратное напряжение макс.
3,3В(1586828)
Напряжение пробоя
5В(1501532)
Ток утечки
50нА(1613685)
Кол-во каналов
1(1443898)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
защитный(1440400)
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD(1639296)
Peak pulse power dissipation
0,25Вт(1930578)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,008 g
 
Диоды transil SMD двунаправленные ESD7551N2T5G
ONSEMI
Артикул: 495826
Диод: TVS; 0,25Вт; 5В; CASE714AB,X2DFN2; бобина,лента; Ch: 1
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
7.75 грн
50+
5.36 грн
240+
4.03 грн
660+
3.81 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Колличество: 1210 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
CASE714AB
Корпус
X2DFN2
Емкость
0,22...0,35пФ
Обратное напряжение макс.
3,3В
Напряжение пробоя
5В
Ток утечки
50нА
Кол-во каналов
1
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
защитный
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD
Peak pulse power dissipation
0,25Вт
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,008 g