0 0 0
  8. ESD7571N2T5G

Диоды transil SMD двунаправленные ESD7571N2T5G

 
ESD7571N2T5G
 
ONSEMI
Артикул: 495827
Диод: TVS; 0,3Вт; 7В; CASE714AB,X2DFN2; бобина,лента; Ch: 1
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
7.29 грн
50+
4.64 грн
250+
4.09 грн
280+
3.54 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
CASE714AB(1853007) X2DFN2(1853008)
Емкость
0,24...0,35пФ(1851240)
Обратное напряжение макс.
5,3В(1851239)
Напряжение пробоя
7В(1440537)
Ток утечки
50нА(1613685)
Кол-во каналов
1(1443898)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
защитный(1440400)
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD(1639296)
Peak pulse power dissipation
0,3Вт(1930579)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Диоды transil SMD двунаправленные ESD7571N2T5G
ONSEMI
Артикул: 495827
Диод: TVS; 0,3Вт; 7В; CASE714AB,X2DFN2; бобина,лента; Ch: 1
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
7.29 грн
50+
4.64 грн
250+
4.09 грн
280+
3.54 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
CASE714AB
Корпус
X2DFN2
Емкость
0,24...0,35пФ
Обратное напряжение макс.
5,3В
Напряжение пробоя
7В
Ток утечки
50нА
Кол-во каналов
1
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
защитный
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD
Peak pulse power dissipation
0,3Вт
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g