0 0 0
  8. FCA47N60-F109

Транзисторы с каналом N THT FCA47N60-F109

 
FCA47N60-F109
 
ONSEMI
Артикул: 524810
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 29,7А; Idm: 141А; 417Вт; TO3PN
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
568.76 грн
2+
521.62 грн
3+
511.57 грн
6+
493.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3PN(1441460)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
29,7А(1632635)
Сопротивление в открытом состоянии
70мОм(1441497)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
417Вт(1741960)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
0,27мкC(1950540)
Технология
SuperFET®(1632634)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
141А(1823200)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5,2 g
 
Транзисторы с каналом N THT FCA47N60-F109
ONSEMI
Артикул: 524810
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 29,7А; Idm: 141А; 417Вт; TO3PN
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
568.76 грн
2+
521.62 грн
3+
511.57 грн
6+
493.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO3PN
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
29,7А
Сопротивление в открытом состоянии
70мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
417Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
0,27мкC
Технология
SuperFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
141А
Дополнительная информация: Масса брутто: 5,2 g