0 0 0
  8. FCH029N65S3-F155

Транзисторы с каналом N THT FCH029N65S3-F155

 
FCH029N65S3-F155
 
ONSEMI
Артикул: 542322
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 50,8А; Idm: 200А; 463Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 193.91 грн
3+
1 128.58 грн
120+
1 112.06 грн
450+
1 080.58 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
50,8А(1905970)
Сопротивление в открытом состоянии
23,7мОм(1759076)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
463Вт(1741877)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
201нC(1905971)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
200А(1741656)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N THT FCH029N65S3-F155
ONSEMI
Артикул: 542322
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 50,8А; Idm: 200А; 463Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 193.91 грн
3+
1 128.58 грн
120+
1 112.06 грн
450+
1 080.58 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
50,8А
Сопротивление в открытом состоянии
23,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
463Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
201нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
200А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g