0 0 0
  8. FCH165N65S3R0-F155

Транзисторы с каналом N THT FCH165N65S3R0-F155

 
FCH165N65S3R0-F155
 
ONSEMI
Артикул: 542348
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 12,3А; Idm: 47,5А; 154Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
255.78 грн
5+
231.08 грн
6+
189.65 грн
15+
179.29 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
12,3А(1628416)
Сопротивление в открытом состоянии
0,14Ом(1702961)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
154Вт(1741976)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
39нC(1479127)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
47,5А(1905979)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N THT FCH165N65S3R0-F155
ONSEMI
Артикул: 542348
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 12,3А; Idm: 47,5А; 154Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
255.78 грн
5+
231.08 грн
6+
189.65 грн
15+
179.29 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
12,3А
Сопротивление в открытом состоянии
0,14Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
154Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
39нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
47,5А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g