0 0 0
  8. FCP067N65S3

Транзисторы с каналом N THT FCP067N65S3

 
FCP067N65S3
 
ONSEMI
Артикул: 524814
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 28А; Idm: 110А; 312Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
498.78 грн
3+
371.55 грн
8+
351.26 грн
250+
337.99 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
28А(1441500)
Сопротивление в открытом состоянии
67мОм(1600697)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
312Вт(1741830)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
78нC(1609951)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
110А(1758590)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,06 g
 
Транзисторы с каналом N THT FCP067N65S3
ONSEMI
Артикул: 524814
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 28А; Idm: 110А; 312Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
498.78 грн
3+
371.55 грн
8+
351.26 грн
250+
337.99 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
28А
Сопротивление в открытом состоянии
67мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
312Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
78нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
110А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,06 g