0 0 0
  8. FCPF11N60T

Транзисторы с каналом N THT FCPF11N60T

 
FCPF11N60T
 
ONSEMI
Артикул: 532719
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; полевой; 650В; 7А; Idm: 33А; 36Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
255.78 грн
3+
231.08 грн
6+
177.69 грн
16+
168.13 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
7А(1441285)
Сопротивление в открытом состоянии
0,38Ом(1638675)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
36Вт(1607952)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
52нC(1479036)
Технология
SJ-MOSFET(1714492)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
33А(1810524)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT FCPF11N60T
ONSEMI
Артикул: 532719
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; полевой; 650В; 7А; Idm: 33А; 36Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
255.78 грн
3+
231.08 грн
6+
177.69 грн
16+
168.13 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
7А
Сопротивление в открытом состоянии
0,38Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
36Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
52нC
Технология
SJ-MOSFET
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
33А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g