0 0 0
  8. FCPF16N60

Транзисторы с каналом N THT FCPF16N60

 
FCPF16N60
 
ONSEMI
Артикул: 532720
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; полевой; 600В; 10,1А; Idm: 48А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
167.64 грн
3+
150.96 грн
9+
116.00 грн
24+
109.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
10,1А(1602419)
Сопротивление в открытом состоянии
0,26Ом(1596288)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
37,9Вт(1742030)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
70нC(1479303)
Технология
SJ-MOSFET(1714492)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
48А(1741686)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT FCPF16N60
ONSEMI
Артикул: 532720
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; полевой; 600В; 10,1А; Idm: 48А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
167.64 грн
3+
150.96 грн
9+
116.00 грн
24+
109.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
10,1А
Сопротивление в открытом состоянии
0,26Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
37,9Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
70нC
Технология
SJ-MOSFET
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
48А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g