0 0 0
  8. FDA032N08

Транзисторы с каналом N THT FDA032N08

 
FDA032N08
 
ONSEMI
Артикул: 532721
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 70В; 120А; Idm: 940А; 37,5Вт; TO3PN
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
315.43 грн
6+
192.28 грн
15+
181.95 грн
1020+
174.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3PN(1441460)
Напряжение сток-исток
70В(1441528)
Ток стока
120А(1441550)
Сопротивление в открытом состоянии
3,2мОм(1479539)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
37,5Вт(1741926)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
0,22мкC(1950537)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
940А(1898326)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы с каналом N THT FDA032N08
ONSEMI
Артикул: 532721
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 70В; 120А; Idm: 940А; 37,5Вт; TO3PN
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
315.43 грн
6+
192.28 грн
15+
181.95 грн
1020+
174.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO3PN
Напряжение сток-исток
70В
Ток стока
120А
Сопротивление в открытом состоянии
3,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
37,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
0,22мкC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
940А
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g