0 0 0
  8. FDA28N50

Транзисторы с каналом N THT FDA28N50

 
FDA28N50
 
ONSEMI
Артикул: 532723
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 17А; Idm: 112А; 310Вт; TO3PN
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
337.67 грн
5+
217.70 грн
13+
205.78 грн
450+
197.04 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3PN(1441460)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
17А(1441577)
Сопротивление в открытом состоянии
155мОм(1692646)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
310Вт(1741906)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
105нC(1633312)
Технология
UniFET™(1632958) DMOS(1605573)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
112А(1812410)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы с каналом N THT FDA28N50
ONSEMI
Артикул: 532723
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 17А; Idm: 112А; 310Вт; TO3PN
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
337.67 грн
5+
217.70 грн
13+
205.78 грн
450+
197.04 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO3PN
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
17А
Сопротивление в открытом состоянии
155мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
310Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
105нC
Технология
UniFET™
Технология
DMOS
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
112А
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g