0 0 0
  8. FDA38N30

Транзисторы с каналом N THT FDA38N30

 
FDA38N30
 
ONSEMI
Артикул: 532725
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 22А; Idm: 150А; 312Вт; TO3PN
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
215.60 грн
5+
193.97 грн
7+
148.37 грн
19+
140.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3PN(1441460)
Напряжение сток-исток
300В(1441556)
Ток стока
22А(1441302)
Сопротивление в открытом состоянии
85мОм(1441495)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
312Вт(1741830)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
60нC(1479310)
Технология
UniFET™(1632958) DMOS(1605573)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
150А(1758586)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы с каналом N THT FDA38N30
ONSEMI
Артикул: 532725
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 22А; Idm: 150А; 312Вт; TO3PN
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
215.60 грн
5+
193.97 грн
7+
148.37 грн
19+
140.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO3PN
Напряжение сток-исток
300В
Ток стока
22А
Сопротивление в открытом состоянии
85мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
312Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
60нC
Технология
UniFET™
Технология
DMOS
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
150А
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g