0 0 0
  8. FDA59N30

Транзисторы с каналом N THT FDA59N30

 
FDA59N30
 
ONSEMI
Артикул: 479614
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 35А; Idm: 236А; 500Вт; TO3PN
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
300.71 грн
5+
210.26 грн
14+
198.36 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 41 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3PN(1441460)
Напряжение сток-исток
300В(1441556)
Ток стока
35А(1441492)
Сопротивление в открытом состоянии
56мОм(1479311)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
500Вт(1701905)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
0,1мкC(1950532)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
236А(1851135)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5,2 g
 
Транзисторы с каналом N THT FDA59N30
ONSEMI
Артикул: 479614
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 300В; 35А; Idm: 236А; 500Вт; TO3PN
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
300.71 грн
5+
210.26 грн
14+
198.36 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 41 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO3PN
Напряжение сток-исток
300В
Ток стока
35А
Сопротивление в открытом состоянии
56мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
500Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
0,1мкC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
236А
Дополнительная информация: Масса брутто: 5,2 g