0 0 0
  8. FDB0190N807L

Транзисторы с каналом N SMD FDB0190N807L

 
FDB0190N807L
 
ONSEMI
Артикул: 524511
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 190А; Idm: 1440А; 250Вт; D2PAK-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
409.57 грн
4+
295.63 грн
10+
279.69 грн
800+
273.32 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK-6(1888068)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
190А(1479556)
Сопротивление в открытом состоянии
4,3мОм(1479335)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
250Вт(1701928)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
249нC(1713012)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1,44кА(1810478)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDB0190N807L
ONSEMI
Артикул: 524511
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 190А; Idm: 1440А; 250Вт; D2PAK-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
409.57 грн
4+
295.63 грн
10+
279.69 грн
800+
273.32 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK-6
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
190А
Сопротивление в открытом состоянии
4,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
250Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
249нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1,44кА
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g