0 0 0
  8. FDB024N06

Транзисторы с каналом N SMD FDB024N06

 
FDB024N06
 
ONSEMI
Артикул: 479613
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 190А; Idm: 1060А; 395Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
372.63 грн
4+
257.43 грн
5+
256.63 грн
11+
243.12 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
190А(1479556)
Сопротивление в открытом состоянии
2,4мОм(1479456)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
395Вт(1741829)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
226нC(1779357)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1060А(1851117)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDB024N06
ONSEMI
Артикул: 479613
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 190А; Idm: 1060А; 395Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
372.63 грн
4+
257.43 грн
5+
256.63 грн
11+
243.12 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
190А
Сопротивление в открытом состоянии
2,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
395Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
226нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1060А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g