0 0 0
  8. FDB024N08BL7

Транзисторы с каналом N SMD FDB024N08BL7

 
FDB024N08BL7
 
ONSEMI
Артикул: 481350
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 162А; Idm: 916А; 246Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
326.55 грн
5+
226.44 грн
12+
213.73 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
162А(1479545)
Сопротивление в открытом состоянии
2,4мОм(1479456)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
246Вт(1851119)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
178нC(1714011)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
916А(1851118)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDB024N08BL7
ONSEMI
Артикул: 481350
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 162А; Idm: 916А; 246Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
326.55 грн
5+
226.44 грн
12+
213.73 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
162А
Сопротивление в открытом состоянии
2,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
246Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
178нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
916А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g