0 0 0
  8. FDB035AN06A0

Транзисторы с каналом N SMD FDB035AN06A0

 
FDB035AN06A0
 
ONSEMI
Артикул: 076006
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 80А; 310Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
376.63 грн
4+
298.20 грн
9+
281.89 грн
100+
278.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 327 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
80А(1479439)
Сопротивление в открытом состоянии
7,1мОм(1632955)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
310Вт(1741906)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
124нC(1632956)
Технология
PowerTrench®(1632936)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,709 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDB035AN06A0
ONSEMI
Артикул: 076006
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 80А; 310Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
376.63 грн
4+
298.20 грн
9+
281.89 грн
100+
278.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 327 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
80А
Сопротивление в открытом состоянии
7,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
310Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
124нC
Технология
PowerTrench®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,709 g