0 0 0
  8. FDB035N10A

Транзисторы с каналом N SMD FDB035N10A

 
FDB035N10A
 
ONSEMI
Артикул: 524512
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; Idm: 856А; 333Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
454.47 грн
4+
326.55 грн
9+
308.28 грн
800+
302.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
120А(1441550)
Сопротивление в открытом состоянии
3,5мОм(1441303)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
333Вт(1741825)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
116нC(1609972)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
856А(1887977)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD FDB035N10A
ONSEMI
Артикул: 524512
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; Idm: 856А; 333Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
454.47 грн
4+
326.55 грн
9+
308.28 грн
800+
302.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
120А
Сопротивление в открытом состоянии
3,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
333Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
116нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
856А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g